日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,Vishay將在2015上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia 2015,6月24-26日,中國上海)上展出的一系列技術。在上海世博展覽館的4B16展位,Vishay將展出眾多業內領先的創新技術,包括無源元件、二極管、功率MOSFET和光電元件等,為廣泛的應用帶來更高的效率和可靠性。

  

在PCIM Asia 2015上,Vishay Siliconix將重點展出采用PowerPAIR?、MICRO FOOT?和PowerPAK? 8x8L等各種封裝形式的MOSFET產品,包括采用超級結技術的高壓E系列MOSFET(用于太陽能逆變器,支持高效率AC/DC功率轉換)和AEC-Q101認證SQ系列MOSFET(用于汽車應用)。同時展出的還有400 V - 600 V D系列MOSFET;具有低導通電阻×柵極電荷優值 (FOM) 的TrenchFET?第四代N溝道MOSFET,以及具有0.0016 ? (-10 V) 和0.0020 ? (-4.5 V) 業內低導通電阻的P通道MOSFET。   

此外,Vishay Siliconix還將在Vishay的展位演示其80 V - 100 V ThunderFET? MOSFET在隔離式總線轉換器級的高效率和高功率密度;其PowerPAIR TrenchFET第四代解決方案在負載點功率級中的最優化電氣及熱性能;及其汽車級溝槽式 MOSFET的可重復雪崩耐受能力。   

對于汽車和太陽能逆變器應用,Vishay Semiconductors將展出采用各種超薄封裝的二極管,包括TMBS? 溝槽式MOS勢壘肖特基整流器、具有ESD保護的標準整流器和采用SMPD (TO-263AC) 封裝的FRED Pt? 超快恢復整流器,以及采用SlimSMA (DO-221AC)、SMF (DO-219AB) 和 SMPC (TO-277A) 封裝的FRED Pt 超快恢復整流器。另外該公司還將展出針對高頻轉換器而優化的600 V和650 V FRED Pt第4代超快恢復二極管,以及旨在提高效率的溝槽式IGBT和采用EMIPAK-1B及EMIPAK-2B封裝的IGBT電源模塊。  

 Vishay還將重點展出用于太陽能逆變器、風力渦輪機、磁共振成像 (MRI) 機器和其他高工作電壓應用的光電子產品,特色產品包括具有10 mm最小電氣間隙和外部爬電距離的IGBT / MOSFET驅動器、10 MBd寬體光耦和采用表面貼裝封裝的高隔離電壓光耦。另外Vishay還將演示其手勢控制傳感器電路板,該電路板由Vishay Semiconductors VCNL4020接近傳感器和兩個VSMF2890RGX01紅外發射器組成。   

Vishay展出的無源元器件將包括眾多最新電容、電阻和電感產品。重點展出的電阻產品將包括汽車級高功率(至3 W)Vishay Dale Power Metal Strip?電阻,和用于功率計和電池管理應用的Power Metal Strip檢流電阻,以及Vishay MCB的用于大功率應用的水冷式繞線電阻。同時展出的還有預接線電阻總成、定制電力電阻總成及負載箱,以及高壓高溫薄膜電阻。重點展出的電感產品包括扼流電感和定制磁性電感。   

在PCIM Asia 2015上展出的電容產品將包括Vishay ESTA電力頻率、濾波、中頻和電力電子電容;用于汽車動力總成系統和可再生能源設備,具有高工作溫度范圍(至+150 °C)和長使用壽命(至6000小時)的Vishay BCcomponents鋁電容,以及用于功率計和智能電表的交流線路額定陶瓷盤式電容。同時還將展出Vishay Cera-Mite高壓陶瓷直流盤式電容、用于交流濾波和DC-link應用的Vishay Roederstein聚丙烯膜電容以及Vishay ESTA電力頻率、高壓和電力電子電容。